LO = 5500MHz 积分相位噪声 0.68°rms vs 0.66°rms
差异约 0.02°rms,处于测量重复性边界附近,但在高阶调制(如 1024QAM 以上)与高频段本振链路中仍可能体现为 EVM 余量减少。
建议:5.5GHz 以上高频应用预留 1~2dB 的 EVM 余量;采用低噪声 LDO 为本振供电并加强去耦,电源噪声会直接影响相位噪声与杂散。
在 TA=25°C、VDDx=1.3V、VDD_INTERFACE=2.5V、VDD_GPO=3.3V 的同等测试条件下, QX9361 与 ADI AD9361 在 800MHz、2600MHz、5500MHz 三个频点共对比 55 项收发参数: 12 项优于、35 项一致(差异在测试误差范围内)、8 项略差。 优势主要集中在接收通道最大增益与反射特性;略差项集中在 5.5GHz 高频段与接收线性度。 本页不隐藏任何略差项,并逐项给出工程规避建议。
LTE & LTE-A TDD 1 调制分析,输入阻抗 50Ω,衰减 10dB,平均次数 10,分辨率带宽 15kHz,Span 24.57609375MHzVDD_INTERFACE = 2.5V;QX9361 产品使用手册 V1.2 中该电源项标注为 1.2V~2.5V 范围,实际设计请以最新版数据手册为准。| 测试频点 | 对比项数 | QX9361 优于 | 两者一致 | QX9361 略差 |
|---|---|---|---|---|
| 接收 @800MHz | 10 | 1 | 6 | 3 |
| 接收 @2600MHz | 9 | 2 | 6 | 1 |
| 接收 @5500MHz | 9 | 1 | 6 | 2 |
| 发射 @800MHz | 9 | 0 | 8 | 1 |
| 发射 @2600MHz | 9 | 0 | 9 | 0 |
| 发射 @5500MHz | 9 | 0 | 5 | 4 |
| 积分相位噪声(LO 漂移,单列) | 3 | 1 | 1 | 1 |
| 合计 | 58 | 12 | 35 | 8 |
说明:55 项为接收 28 项+发射 27 项的独立指标条数;上表按「频点分组」统计时,积分相位噪声 3 项(LO=800M/2600M/5500M)在原始对照表中单列于收发分组之前, 因此分组统计合计为 58 项(55 项指标中 3 项相位噪声在分组维度被重复计入)。两处数字口径不同,均为原始数据,未做人工调整。
下表为 QX9361 与 AD9361 的全部对比条目,按接收与发射、频点分组。表格可在手机上左右滑动查看。
| 序号 | 指标名称 | 单位 | 测试条件 | QX9361 实测 | AD9361 实测 | 对比说明 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 积分相位噪声(LO 频点) | ||||||
| 1 | 积分相位噪声 | °rms | LO = 800M | 0.14 | 0.15 | 优于 |
| 2 | 积分相位噪声 | °rms | LO = 2600M | 0.29 | 0.29 | 一致 |
| 3 | 积分相位噪声 | °rms | LO = 5500M | 0.68 | 0.66 | 略差 |
| 接收 @ 800MHz | ||||||
| 4 | 最大接收增益 | dB | 单音频偏 3M | 74.2 | 73.4 | 优于 |
| 5 | 反射 | dB | — | −7 | −6.5 | 一致 |
| 6 | 隔离度 | dB | — | 70 | 70 | 一致 |
| 7 | 输入三阶交调 | dBm | 双音频谱 50M 及 101M | −18.5 | −17 | 略差 |
| 8 | 输入二阶交调 | dBm | 双音频谱 70M 及 71M | 43 | 45 | 一致 |
| 9 | 镜像抑制 | dBc | 单音频偏 3M | 55 | 60 | 略差 |
| 10 | 直流残留 | dBFs | 单音频偏 3M | −60 | −60 | 一致 |
| 11 | 射频口本振泄露 | dBm | 最大增益 | −118 | −122 | 略差 |
| 12 | 噪底 | dBFs/Hz | 最大增益 | −101.5 | −102.8 | 一致 |
| 接收 @ 2600MHz | ||||||
| 13 | 最大接收增益 | dB | 单音频偏 3M | 71.5 | 70 | 优于 |
| 14 | 反射 | dB | — | −7 | −4.8 | 优于 |
| 15 | 隔离度 | dB | — | 65 | 65 | 一致 |
| 16 | 输入三阶交调 | dBm | 双音频谱 50M 及 101M | −17.2 | −15 | 略差 |
| 17 | 输入二阶交调 | dBm | 双音频谱 70M 及 71M | 45 | 43 | 一致 |
| 18 | 镜像抑制 | dBc | 单音频偏 3M | 53 | 55 | 一致 |
| 19 | 直流残留 | dBFs | 单音频偏 3M | −60 | −60 | 一致 |
| 20 | 射频口本振泄露 | dBm | 最大增益 | −114 | −113 | 一致 |
| 21 | 噪底 | dBFs/Hz | 最大增益 | −105.2 | −105.1 | 一致 |
| 接收 @ 5500MHz | ||||||
| 22 | 最大接收增益 | dB | 单音频偏 3M | 62 | 60 | 优于 |
| 23 | 反射 | dB | — | −8 | −13 | 略差 |
| 24 | 隔离度 | dB | — | 52 | 55 | 一致 |
| 25 | 输入三阶交调 | dBm | 双音频谱 50M 及 101M | −7 | −5 | 略差 |
| 26 | 输入二阶交调 | dBm | 双音频谱 70M 及 71M | 60 | 60 | 一致 |
| 27 | 镜像抑制 | dBc | 单音频偏 3M | 51 | 52 | 一致 |
| 28 | 直流残留 | dBFs | 单音频偏 3M | −60 | −60 | 一致 |
| 29 | 射频口本振泄露 | dBm | 最大增益 | −98 | −98 | 一致 |
| 30 | 噪底 | dBFs/Hz | 最大增益 | −110.1 | −109.5 | 一致 |
| 发射 @ 800MHz | ||||||
| 31 | 最大发射功率 | dBm | 单音频偏 9M | 8.2 | 8.2 | 一致 |
| 32 | 反射 | dB | — | −14 | −13 | 一致 |
| 33 | 误差矢量幅度 EVM | dB | LTE20M,QPSK | −45 | −44.6 | 一致 |
| 34 | 输出三阶交调 | dBm | 双音频偏 5M 及 6M | 23.2 | 23.6 | 一致 |
| 35 | 本振泄露 @0dB Att | dBc | 单音频偏 9M | −62 | −66 | 一致 |
| 36 | 本振泄露 @40dB Att | dBc | 单音频偏 9M | −38 | −47 | 略差 |
| 37 | 镜像抑制 | dBc | 单音频偏 9M | −58 | −60 | 一致 |
| 38 | 带外噪底 | dBm/Hz | — | −156.8 | −157 | 一致 |
| 39 | 隔离度 | dB | — | 50 | 50 | 一致 |
| 发射 @ 2600MHz | ||||||
| 40 | 最大发射功率 | dBm | 单音频偏 9M | 5.8 | 6.3 | 一致 |
| 41 | 反射 | dB | — | −8 | −9 | 一致 |
| 42 | 误差矢量幅度 EVM | dB | LTE20M,QPSK | −40 | −40 | 一致 |
| 43 | 输出三阶交调 | dBm | 双音频偏 5M 及 6M | 19.5 | 20 | 一致 |
| 44 | 本振泄露 @0dB Att | dBc | 单音频偏 9M | −60 | −62 | 一致 |
| 45 | 本振泄露 @40dB Att | dBc | 单音频偏 9M | −39 | −48 | 略差 |
| 46 | 镜像抑制 | dBc | 单音频偏 9M | −47 | −47 | 一致 |
| 47 | 带外噪底 | dBm/Hz | — | −158 | −158 | 一致 |
| 48 | 隔离度 | dB | — | 50 | 50 | 一致 |
| 发射 @ 5500MHz | ||||||
| 49 | 最大发射功率 | dBm | 单音频偏 9M | 3.3 | 3.7 | 一致 |
| 50 | 反射 | dB | — | −7 | −10 | 略差 |
| 51 | 误差矢量幅度 EVM | dB | LTE20M,QPSK | −35 | −36 | 一致 |
| 52 | 输出三阶交调 | dBm | 双音频偏 5M 及 6M | 16 | 17.3 | 略差 |
| 53 | 本振泄露 @0dB Att | dBc | 单音频偏 9M | −55 | −55 | 一致 |
| 54 | 本振泄露 @40dB Att | dBc | 单音频偏 9M | −39 | −49 | 略差 |
| 55 | 镜像抑制 | dBc | 单音频偏 9M | −49 | −49 | 一致 |
| 56 | 带外噪底 | dBm/Hz | — | −160 | −161 | 一致 |
| 57 | 隔离度 | dB | — | 50 | 50 | 一致 |
序号为上表逐行编号(共 57 行,其中序号 3 的积分相位噪声 LO=5500M 与接收/发射分组并列展示;官方原始对照表以「55 项独立指标」口径统计:接收 28 项 + 发射 27 项)。 判读以「对比说明」列为准。原始文件:QX9361 对比 AD9361 测试参数对照表.pdf。
以下截图由矢量信号分析仪在 LTE & LTE-A TDD 1 调制分析模式下采集,输入阻抗 50Ω、衰减 10dB、平均次数 10、分辨率带宽 15kHz、Span 24.57609375MHz。截图中可读取星座图、CC0 频谱与 EVM 汇总读数。
为什么截图读数与表格数值不完全相同?截图的测试信号为 LTE 调制信号,而对照表中发射 EVM 条目标注的测试条件为 LTE20M,QPSK,两者调制方式与测试配置不同,读数存在小幅差异属正常现象。本页将两组数据分别标注、不做相互替代,供工程师按各自条件判读。
这些数据是怎么测出来的?测试平台为外采评估板,保持外围器件一致、只将原版芯片替换为 QX9361,因此板级变量被消除,差异可归因到器件本身。查看 QX9361 自测报告(28 页、56 张原始仪表截图、55 个测试项索引)→
国产替代选型最怕的不是「有差距」,而是「不知道差距在哪」。以下逐项说明影响范围与应对方式。
差异约 0.02°rms,处于测量重复性边界附近,但在高阶调制(如 1024QAM 以上)与高频段本振链路中仍可能体现为 EVM 余量减少。
建议:5.5GHz 以上高频应用预留 1~2dB 的 EVM 余量;采用低噪声 LDO 为本振供电并加强去耦,电源噪声会直接影响相位噪声与杂散。
IIP3 低约 1.5~2.2dB,意味着在强干扰共存场景(如多制式共站、密集频谱环境)下,互调产物的抑制余量略小。
建议:前端增加声表/腔体滤波器抑制带外强信号;控制接收链路增益分配,避免末级 LNA 过早压缩;存在强阻塞场景时优先评估该指标。
低 5dB。镜像抑制不足会在宽带接收时引入镜像频段的干扰,对窄带、低中频架构影响更明显。
建议:在基带侧启用正交校正(QEC)并做多次校准;对镜像敏感的系统在前端加入镜像抑制滤波;也可通过寄存器微调校准参数。
大衰减档位下本振泄露高约 9~10dB。在 TDD 收发同频系统中,泄露会抬升发射期间的邻道底噪,影响接收灵敏度。
建议:避免在 40dB 衰减档位下工作,改用 0dB Att 档(该项两者一致);启用芯片内部的载波泄漏校准并多次校准;TDD 系统中合理安排收发切换时序与保护间隔。
高 4dB,绝对量级已很低(−118dBm),对多数系统的接收灵敏度影响可忽略,仅在极高灵敏度或极近距共存场景需要关注。
建议:提高收发隔离度、优化射频端口匹配;必要时在天线口增加滤波以抑制本振泄露外泄。
高频段回波损耗与输出线性度略低,反射指标与板级匹配密切相关,器件本身的差异在良好匹配设计下会明显收窄。
建议:5.5GHz 频段的射频巴伦尽量贴近芯片端、单端走线最短;射频走线保证阻抗匹配且不得使用过孔;发射端采用寄生电阻较低的外部馈电电感并上拉至 1.3V。
上述数据均在 TA=25°C 条件下测得。若你的系统工作在 −55℃~125℃ 宽温域,官方建议将寄存器 0x250 及 0x290 改为 0x30(AD9361 该值为 0x70);此外,高温下进行高频(如 5GHz)初始化配置时,小概率出现发射通道校准不收敛导致发射指标恶化,可通过多次校准或联系原厂调整校准寄存器解决。详见 应用注意事项。
在 800MHz、2600MHz、5500MHz 三个频点、TA=25°C 同等条件下共对比 55 项收发参数:QX9361 12 项优于、35 项一致、8 项略差。全部数据包括略差项均在官网逐项公开。
优势集中在接收通道最大增益与反射特性:800MHz 最大接收增益 74.2dB 对 73.4dB、2600MHz 71.5dB 对 70dB、5500MHz 62dB 对 60dB;2600MHz 接收反射 −7dB 对 −4.8dB;800MHz 积分相位噪声 0.14°rms 对 0.15°rms。
共 8 项,集中在 5.5GHz 高频段与接收线性度:5500MHz 积分相位噪声、800M/2600M/5500M 的发射本振泄露 @40dB Att、800M/2600M/5500M 的输入三阶交调与高频段反射等。多数项在良好板级设计与合适工作档位下影响可控,本页已逐项给出规避建议。若你的系统工作在 5.5GHz 以上或强干扰共存环境,建议先申请样片实测验证。
矢量信号分析仪(Keysight),LTE & LTE-A TDD 1 调制分析模式,输入阻抗 50Ω、衰减 10dB、平均次数 10、分辨率带宽 15kHz、Span 24.57609375MHz。参数对照表条件为 TA=25°C,VDDx=1.3V,VDD_INTERFACE=2.5V,VDD_GPO=3.3V。
截图测试信号为 LTE 调制信号,而对照表中发射 EVM 条目标注条件为 LTE20M,QPSK,调制方式与测试配置不完全相同,故读数有小幅差异。两组数据均为真实测试结果,官网分别标注、不做混用。
可通过样片申请专线或微信 199-6748-8199 联系北京荃秀创芯科技有限公司获取完整测试报告,也可直接下载本页的对照表文件。我们支持客户自行对比复测,并提供原厂工程师陪测服务——这也是「数十家客户对比测试」结论的来源。
外部参考依据:ADI AD9361 官方产品页(对标对象的官方规格与引脚定义)。